[发明专利]用于半导体的各向异性蚀刻的工艺无效
| 申请号： | 201080050658.3 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102598223A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 特里·L·史密斯;张俊颖 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张爽;樊卫民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于各向异性地蚀刻半导体材料如II-VI和III-V半导体的方法。该方法涉及用非反应性气体透过蚀刻掩模以等离子体溅射蚀刻半导体材料、随后藉等离子聚合作用使聚合物形成物聚合以钝化侧壁的重复循环。使用该工序，可以制造用于下转变发光二极管设备中的小像素。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 各向异性 蚀刻 工艺 | ||
【主权项】：
一种各向异性地蚀刻半导体的方法，其包括：在真空室中提供其上有蚀刻掩模的半导体；用非反应性蚀刻气体透过所述蚀刻掩模溅射蚀刻所述半导体，以从所述半导体的表面上移除材料并提供至少一个蚀刻的表面；将聚合物形成物引入到所述真空室中；将所述聚合物形成物聚合到所述半导体的暴露表面上；和重复所述蚀刻步骤和所述聚合步骤以形成蚀刻的半导体。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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