[发明专利]具有应力隔离的MEMS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080038090.3 | 申请日： | 2010-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102482072A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 阿伦·A·盖斯贝格尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李宝泉;周亚荣 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有应力隔离的MEMS器件(20)包括形成在第一结构层(24)中的元件(28、30、32)和形成在第二结构层(26)中的元件(68、70)，其中层(26)与第一结构层(24)隔开。制造方法(80)涉及在层(24、26)之间形成(92、94、104)连接件(72、74)。连接件(72、74)将第一层(24)的对应的元件(30、32)与第二层(26)的元件(68、70)连接。制造方法(80)还涉及从下面的衬底(22)释放结构层(24、26)，使得所有元件(30、32、68、70)都被悬置在MEMS器件(20)的衬底(22)上方，其中元件(30、32、68、70)与衬底(22)的附接仅发生在衬底(22)的中心区域处(46)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 隔离 mems 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造与衬底隔离的微机电系统(MEMS)器件的方法，包括：在位于所述衬底之上的第一牺牲层上形成第一结构层，以制作通过槽而彼此分离的第一元件和第二元件；在所述第一结构层之上沉积第二牺牲层，所述第二牺牲层至少部分地填充所述槽；创建贯通所述第二牺牲层的开口，以露出所述第二元件的部分；在所述第二牺牲层之上形成第二结构层，以制作第三元件，所述第二结构层填充所述开口，以提供所述第二元件和所述第三元件之间的连接件；以及通过移除所述第一牺牲层和第二牺牲层的至少一部分，使所述第一元件、第二元件和第三元件悬置在所述衬底之上，其中，所述第二元件与所述衬底的附接仅发生在所述衬底上的相对于所述第一元件、第二元件和第三元件在所述衬底之上的位置而言的中心区域处，并且所述第三元件至少经由所述连接件而连接到所述第二元件。
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