[发明专利]制造碳化硅衬底的方法和碳化硅衬底无效
| 申请号： | 201080031760.9 | 申请日： | 2010-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102473594A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 原田真;佐佐木信;西口太郎;玉祖秀人;并川靖生 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B29/36;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造碳化硅衬底(1)的方法，所述方法包括：准备多个SiC衬底(20)的步骤，所述多个SiC衬底(20)包含单晶碳化硅；形成碳化硅的基底层(10)的步骤，所述基底层(10)将所述多个SiC衬底(20)保持在如下状态中，其中当俯视观察时，所述多个SiC衬底(20)并排布置；以及形成填充部(60)的步骤，所述填充部(60)填充所述多个SiC衬底(20)之间的间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅衬底(1)的方法，所述方法包括：准备多个SiC衬底(20)的步骤，所述多个SiC衬底(20)各自由单晶碳化硅制成；形成基底层(10)的步骤，所述基底层(10)由碳化硅制成并保持所述多个SiC衬底(20)，其中当俯视观察时，所述多个SiC衬底(20)并排布置；以及形成填充部(60)的步骤，所述填充部(60)填充所述多个SiC衬底(20)之间的间隙。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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