[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置具备：薄膜二极管(1)；和保护电路，其包括保护用二极管(20)，薄膜二极管(1)具备：半导体层，其具有第1区域、第2区域以及沟道区域；栅极电极；第1电极(S1)，其与第1区域和栅极电极连接；以及第2电极(D1)，其与第2区域连接，薄膜二极管(1)是N型，保护用二极管(20)的阳极侧的电极与配线(3)连接，所述配线(3)与薄膜二极管(1)的栅极电极或第1电极连接，或者，薄膜二极管是P型，保护用二极管的阴极侧的电极与如下配线连接：所述配线与薄膜二极管的栅极电极或第1电极连接，保护电路不具有使得电流的流动方向与保护用二极管(20)的电流的流动方向相反地与配线(3)连接的其它的二极管。由此，可以抑制电路规模的增大并抑制由ESD导致的薄膜二极管的劣化。

主权项

一种半导体装置，具备电路，所述电路形成在基板上，包括薄膜二极管和保护电路，所述保护电路包括保护用二极管，上述薄膜二极管具备：至少1个半导体层，其形成在上述基板上，具有第1区域、第2区域、位于上述第1区域和上述第2区域之间的沟道区域；栅极电极，其与上述沟道区域重叠地配置；栅极绝缘层，其形成在上述栅极电极和上述半导体层之间；第1电极，其设置在上述第1区域上，与上述第1区域和上述栅极电极电连接；以及第2电极，其设置在上述第2区域上，与上述第2区域电连接，(a)上述薄膜二极管的导电型是N型，上述保护用二极管的阳极侧的电极与如下配线连接：所述配线与上述薄膜二极管的上述栅极电极或上述第1电极连接，或者(b)上述薄膜二极管的导电型是P型，上述保护用二极管的阴极侧的电极与如下配线连接：所述配线与上述薄膜二极管的上述栅极电极或上述第1电极连接，上述保护用二极管不与上述薄膜二极管并联地连接，上述保护电路不具有与上述配线连接成电流的流动方向与上述保护用二极管的电流的流动方向相反的其它的二极管。