[发明专利]具有穿过结合垫延伸的通路的堆叠式微电子组件无效
申请号: | 201080020532.1 | 申请日: | 2010-03-12 |
公开(公告)号: | CN102422412A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 摩西·柯瑞曼;奥舍·阿夫西杨;贝勒卡西姆·哈巴;贾尔斯·汉普斯顿;德米特里·布尔什滕 | 申请(专利权)人: | 德塞拉股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/065;H01L21/768;H01L23/48 |
代理公司: | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人: | 段淑华;刘曾剑 |
地址: | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了一种包括第一和第二堆叠的微电子元件(101,102)的堆叠式微电子组件。第一和第二微电子元件中每个都可包括沿该微电子元件的表面(608)延伸的导体层(610)。第一和第二微电子元件中至少一个可包括从背面向正面延伸的凹陷(618),及从凹陷穿过结合垫(603)并与结合垫电连接的导电通路(605),导体层(610)与通路连接并沿微电子元件(101,102)的背面(608)向微电子元件的边缘(620)延伸。复数个引线(224)可从第一和第二微电子元件的导体层(610)延伸,且组件的复数个终端(616)可与引线电连接。 | ||
搜索关键词: | 具有 穿过 结合 延伸 通路 堆叠 式微 电子 组件 | ||
【主权项】:
一种堆叠式微电子组件,包括:第一微电子元件和第二微电子元件,每个都具有正面、位于所述正面上的结合垫、远离正面的背面及在所述正面和背面之间延伸的边缘,所述微电子元件堆叠为使得所述第一微电子元件的正面与所述第二微电子元件的正面或背面中的一个相邻,所述微电子组件具有覆盖所述第一和第二微电子元件中每个的表面的面,其中所述第一和第二微电子元件中每个都包括沿微电子元件的表面延伸的导体层,且所述第一和第二微电子元件中至少一个包括:a)从所述背面向所述正面延伸的凹陷;b)从所述凹陷穿过所述结合垫延伸并与所述结合垫电连接的导电通路,其中所述至少一个微电子元件的所述导体层与所述通路电连接;复数个引脚,从所述第一和第二微电子元件的所述导体层延伸;以及所述组件的复数个端子,与所述引脚电连接。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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