[发明专利]具有穿过结合垫延伸的通路的堆叠式微电子组件无效

专利信息
申请号: 201080020532.1 申请日: 2010-03-12
公开(公告)号: CN102422412A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 摩西·柯瑞曼;奥舍·阿夫西杨;贝勒卡西姆·哈巴;贾尔斯·汉普斯顿;德米特里·布尔什滕 申请(专利权)人: 德塞拉股份有限公司
主分类号: H01L21/98 分类号: H01L21/98;H01L25/065;H01L21/768;H01L23/48
代理公司: 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 代理人: 段淑华;刘曾剑
地址: 美国加利福尼亚州*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 穿过 结合 延伸 通路 堆叠 式微 电子 组件
【权利要求书】:

1.一种堆叠式微电子组件,包括:

第一微电子元件和第二微电子元件,每个都具有正面、位于所述正面上的结合垫、远离正面的背面及在所述正面和背面之间延伸的边缘,所述微电子元件堆叠为使得所述第一微电子元件的正面与所述第二微电子元件的正面或背面中的一个相邻,所述微电子组件具有覆盖所述第一和第二微电子元件中每个的表面的面,

其中所述第一和第二微电子元件中每个都包括沿微电子元件的表面延伸的导体层,且所述第一和第二微电子元件中至少一个包括:a)从所述背面向所述正面延伸的凹陷;b)从所述凹陷穿过所述结合垫延伸并与所述结合垫电连接的导电通路,其中所述至少一个微电子元件的所述导体层与所述通路电连接;

复数个引脚,从所述第一和第二微电子元件的所述导体层延伸;以及

所述组件的复数个端子,与所述引脚电连接。

2.根据权利要求1所述的微电子组件,其中所述引脚延伸至所述组件的所述表面上且所述端子暴露在所述组件的所述表面上。

3.根据权利要求1所述的微电子组件,其中所述微电子组件具有至少一个远离所述表面延伸的边缘面,每个边缘面沿所述第一和第二微电子元件的边缘延伸,所述引脚沿所述至少一个边缘面延伸至所述组件的所述表面上。

4.根据权利要求1所述的微电子组件,其中所述微电子组件具有至少一个开口穿过所述第一和第二微电子元件中的至少一个延伸,所述引脚沿所述至少一个开口的表面延伸。

5.根据权利要求1所述的微电子组件,其中所述第一和第二微电子元件中每个都包括所述凹陷和所述导电通路,每个微电子元件的所述导体层与该微电子元件的所述通路电连接。

6.根据权利要求1所述的微电子组件,其中所述第一微电子元件包括所述凹陷和所述导电通路,所述第一微电子元件的所述导体层与所述第一微电子元件的所述通路电连接,所述第二微电子元件的所述导体层与其结合垫的表面电接触,所述表面沿所述第二微电子元件的所述正面延伸。

7.根据权利要求1所述的微电子组件,其中至少一个微电子元件的所述导体层与所述凹陷的表面共形地延伸,且所述组件进一步包括覆盖所述凹陷内所述导体层的介电层。

8.根据权利要求7所述微电子组件,其中所述导电通路包括衬在穿过所述结合垫延伸的孔内的导体层,其中所述介电层覆盖所述孔内的所述导体层。

9.根据权利要求1所述微电子组件,进一步包括具有越过所述微电子元件的所述边缘延伸的表面的介电层,其中所述导体层以第一方向沿所述介电层越过所述边缘延伸的表面延伸。

10.根据权利要求9所述的微电子组件,其中至少一个所述引脚包括以第一方向延伸的部分,所述部分沿所述导体层中至少一个的所述部分延伸,所述引脚部分与所述导体层部分电接触。

11.根据权利要求1所述微电子组件,其中所述至少一个引脚为第一引脚,其中至少一个第二引脚包括穿过所述引脚部分和所述导体层部分延伸的导电通路。

12.根据权利要求1所述的微电子组件,其中所述凹陷为第一凹陷,所述至少一个微电子元件的所述边缘包括第二凹陷,其中所述导体层沿所述第二凹陷的表面延伸。

13.根据权利要求12所述的微电子组件,其中所述导体层进一步越过所述第二凹陷延伸至介电层的主表面上。

14.根据权要求1所述微电子组件,其中所述第一微电子元件进一步包括图像传感器,且所述组件进一步包括覆盖所述图像传感器的透明盖。

15.根据权利要求14所述的微电子组件,其中在所述盖与所述微电子元件的表面之间设置有空腔,所述图像传感器与所述空腔对齐。

16.根据权利要求1所述的微电子组件,进一步包括安装至所述第一微电子元件表面上方的盖,其中在所述正面与所述盖之间设置有空腔,所述第一微电子元件包括与所述空腔对齐的微机电系统(“MEMS”)器件。

17.根据权利要求1所述的微电子组件,其中所述凹陷呈锥形,随着与所述背面间距离的增加而变小。

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