[发明专利]用于提供半导体存储器装置的技术有效
| 申请号： | 201080014243.0 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102365628A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·A·范巴斯柯克;克里斯蒂安·卡亚;维克托·I·科尔迪亚维;正泰·权;皮埃尔·C·法赞 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G06F13/00 | 分类号： | G06F13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于提供半导体存储器装置的技术。可将所述技术实现为包含布置成行与列的阵列的多个存储器单元的半导体存储器装置。每一存储器单元可包含：第一区，其连接到在第一定向上延伸的源极线；第二区，其连接到在第二定向上延伸的位线；及主体区，其与字线间隔开且电容性耦合到所述字线，其中所述主体区为电浮动的且安置在所述第一区与所述第二区之间。所述半导体装置还可包含：第一势垒壁，其在所述阵列的所述第一定向上延伸；及第二势垒壁，其在所述阵列的所述第二定向上延伸且与所述第一势垒壁相交以形成经配置以容纳所述多个存储器单元中的每一者的沟槽区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提供 半导体 存储器 装置 技术 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置，其包括：多个存储器单元，其布置成行与列的阵列，每一存储器单元具有：第一区，其连接到在第一定向上延伸的源极线；第二区，其连接到在第二定向上延伸的位线；主体区，其与字线间隔开且电容性耦合到所述字线，其中所述主体区为电浮动的且安置在所述第一区与所述第二区之间；第一势垒壁，其在所述阵列的所述第一定向上延伸；及第二势垒壁，其在所述阵列的所述第二定向上延伸且与所述第一势垒壁相交以形成经配置以容纳所述多个存储器单元中的每一者的沟槽区。
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