[发明专利]Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201080011383.2 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102362002B | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 松村仁实;南部旭;得平雅也;冈本晋也 | 申请（专利权）人： | 株式会社钢臂功科研 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F9/08;C22C9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 翟赟琪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种Cu-Ga合金溅射靶，可形成膜的成分组成的均匀性(膜均匀性)优异的Cu-Ga溅射膜且可降低溅射中的穿孔产生，同时，强度高且可抑制溅射中的裂纹。本发明是一种包含含有Ga的Cu基合金的溅射靶，其平均结晶粒径为10μm以下，且孔隙率为0.1％以下。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga 合金 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Cu‑Ga合金溅射靶，其包含含有Ga的Cu基合金，其平均结晶粒径为10μm以下且孔隙率为0.1％以下。
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