[发明专利]Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201080011383.2 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102362002B | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 松村仁实;南部旭;得平雅也;冈本晋也 | 申请（专利权）人： | 株式会社钢臂功科研 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F9/08;C22C9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 翟赟琪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cu ga 合金 溅射 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Cu-Ga合金溅射靶，其包含含有Ga的Cu基合金，其平均结 晶粒径为10μm以下且孔隙率为0.1％以下。
2.根据权利要求1所述的Cu-Ga合金溅射靶，其中，Ga含量为20 原子％以上、29原子％以下。
3.根据权利要求1所述的Cu-Ga合金溅射靶，其中，在拍摄了所述 溅射靶的表面的放大率为500倍的扫描电子显微镜观察照片中，在长度 100μm的任意线段上所占的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的比率为20％ 以上、95％以下，且横穿所述线段的以Cu9Ga4化合物相为基体的γ相的个 数为5个以上。
4.根据权利要求1所述的Cu-Ga合金溅射靶，其包含Cu9Ga4化合物 相和Cu3Ga化合物相。
5.权利要求1～4中任一项所述Cu-Ga合金溅射靶的制造方法，其包 括以下工序：
第一工序，将含有Ga的Cu基合金的熔液气流雾化、微细化；
第二工序，将所述微细化了的Cu-Ga合金堆积到收集器中，得到Cu-Ga 合金预成型体；
第三工序，将所述Cu-Ga合金预成型体通过致密化方法进行致密化， 得到Cu-Ga合金致密体。
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