[发明专利]半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201080009458.3 | 申请日: | 2010-02-23 |
公开(公告)号: | CN102334182A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 滨崎和典;松村孝;佐藤大祐;须贺保博 | 申请(专利权)人: | 索尼化学&信息部件株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种使用绝缘性树脂粘接薄膜(NCF)将半导体芯片倒装片安装在基板上的半导体装置的制造方法,其中,在热压时,防止NCF的溢出并防止凸起和电极焊盘之间插入绝缘性树脂或无机填料,所得到的半导体装置表现出充分的耐吸湿回流性的制造方法。具体地说,将具有相当于半导体芯片的外围配置的多个凸起所包围的区域的面积的60~100%的大小以及2×102~1×105Pa·s的最低熔融粘度的NCF暂时粘贴在与凸起对应的基板的多个电极所包围的区域。然后,以该凸起和与其对应的电极对置的方式将半导体芯片和基板对位,从半导体芯片侧进行热压。由此,使凸起和电极进行金属键合,使NCF熔融进而热硬化。由此,得到半导体装置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造方法,将具有外围配置的多个凸起的半导体芯片隔着绝缘性树脂粘接薄膜倒装片安装在具有与该凸起对应的多个电极的基板上,从而制造半导体装置,其特征在于,将具有与半导体芯片的外围配置的多个凸起所包围的区域的面积的60~100%相当的大小和2×102~1×105Pa·s的最低熔融粘度的绝缘性树脂粘接薄膜暂时粘贴在与该凸起对应的基板的多个电极所包围的区域,以该凸起和与其对应的电极对置的方式对半导体芯片和基板进行对位,从半导体芯片侧进行热压,由此,使凸起和电极进行金属键合,使绝缘性树脂粘接薄膜熔融进而热硬化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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