[发明专利]发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯无效
| 申请号： | 201080008276.4 | 申请日： | 2010-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102326268A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 竹内良一;村木典孝 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 采用一种发光二极管(1)，是能够在封装内减少从LED芯片的发光的损失，并且能够提高从封装取出光的光取出效率的高亮度发光二极管，其特征在于，具备：包含具有发光层(9)的发光部(8)的化合物半导体层(2)以及基板(3)，在基板(3)的侧面设置有比基板(3)反射率高的外部反射层(4)。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于：具备包含具有发光层的发光部的化合物半导体层和基板，在所述基板的侧面设置有比该基板反射率高的外部反射层。
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