[发明专利]发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯无效
| 申请号： | 201080008276.4 | 申请日： | 2010-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102326268A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 竹内良一;村木典孝 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 以及 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于：
具备包含具有发光层的发光部的化合物半导体层和基板，
在所述基板的侧面设置有比该基板反射率高的外部反射层。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：
所述化合物半导体层和所述基板接合，
所述基板是Si、Ge、金属、陶瓷、GaP的任一种。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述外部反射层，在外部光的波段反射率是90％以上。
4.如权利要求1至3中任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述外部反射层，由包含银、金、铜、铝的至少一种的金属构成。
5.如权利要求1至4中任一项所述的发光二极管，其特征在于：在所述外部反射层的表面设置有稳定化层。
6.如权利要求1至5中任一项所述的发光二极管，其特征在于：在所述化合物半导体层和所述基板之间设置有内部反射层。
7.如权利要求1至6中任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述外部反射层通过电镀法形成。
8.如权利要求1至7中任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述发光层包含AlGaInP或AlGaAs层。
9.一种发光二极管的制造方法，其特征在于：包括：
在半导体基板上形成包含具有发光层的发光部的化合物半导体层的工序；
接合所述化合物半导体层和基板的工序；
除去所述半导体基板的工序；以及
在所述基板的侧面形成外部反射层的工序。
10.如权利要求9所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：在所述基板的侧面形成外部反射层的工序包含电镀工序。
11.一种发光二极管灯，搭载两个以上发光二极管，其特征在于：至少搭载一个以上如权利要求1至8中任一项所述的发光二极管。
12.如权利要求11所述的发光二极管灯，其特征在于：搭载的发光二极管的发光波长不同。
13.如权利要求11或12所述的发光二极管灯，其特征在于：搭载的发光二极管的芯片高度不同。
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