[发明专利]发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯。

本申请基于2009年2月20日在日本申请的特愿2009-038238主张优先权，在此引用其内容。

背景技术

以往，作为发出红色、橙色、黄色或者黄绿色可见光的高亮度发光二极管(英语简称：LED)，已知具有包括磷化铝镓铟(组成式(AL_XGa_1-X)_YIn_1-YP；0≤X≤1，0≤Y≤1)的发光层的化合物半导体LED。这样的LED中具有包括(AL_XGa_1-X)_YIn_1-YP；0≤X≤1，0≤Y≤1)的发光层的发光部，一般而言在对于从发光层出射的发光在光学上不透明且在机械上强度不大的砷化镓(GaAs)等基板材料上形成。

因此，最近，公开了如下技术：为了得到更高亮度的可视LED，并且，以进一步提高元件的机械强度为目的，除去对于发出的光不透明的基板材料，然后，改为接合由透过或反射发出的光且机械强度优异的材料形成的支持体层(基板)，构成接合型LED(例如，参照专利文献1～7)。

并且，在使用了LED的封装技术中，普及了在以往的单色的基础上，作为全彩色用，将蓝、绿、红色LED芯片放入同一封装，同时发出三色，能够再现以白色为代表的宽度大的发光色的LED产品。

并且，专利文献8中记载了在粘接有金属层以及反射层的有机粘接层埋入欧姆金属(ohmic metal)的发光元件。

专利文献1：专利第3230638号公报

专利文献2：特开平6-302857号公报

专利文献3：特开2002-246640号公报

专利文献4：专利第2588849号公报

专利文献5：特开2001-57441号公报

专利文献6：特开2007-81010号公报

专利文献7：特开2006-32952号公报

专利文献8：特开2005-236303号公报

发明内容

如上所述，通过开发基板接合技术，能够作为支持体层适用的基板的自由度增加，提出了在成本方面、机械强度等具有很大优势的Si、Ge、金属、陶瓷、GaP基板等的适用。

但是，上述基板，存在如下问题：对于从在封装内搭载的其他LED的发光吸收很大，损失发光，向封装外取出光的效率变低。例如，GaP基板对于红色透明，但对于蓝色，光的吸收很大。特别是，全彩色用时，因为红、绿、蓝三色的LED芯片相邻配置，例如，通过红色发光的AlGaInP发光二级管芯片的基板，不仅仅是自己的红色，相邻的蓝色、绿色LED芯片的发光也吸收，存在封装全体的发光效率低下的问题。

本发明是鉴于上述情况做出的，目的在于提供在封装内能够减少从LED芯片的发光的损失，并且提高从封装取出光的光取出效率的高亮度的发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯。

也就是说，本发明涉及以下内容。

(1)一种发光二极管，其特征在于：具备：包含具有发光层的发光部的化合物半导体层和基板，在所述基板的侧面设置有比该基板反射率高的外部反射层。

(2)如上述(1)所述的发光二极管，其特征在于：所述化合物半导体层和所述基板接合，所述基板是Si、Ge、金属、陶瓷、GaP的任一种。

(3)如上述(1)或者(2)所述的发光二极管，其特征在于：所述外部反射层在外部光的波段反射率是90％以上。

(4)如上述(1)至(3)中任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述外部反射层由包含银、金、铜、铝的至少一种的金属构成。

(5)如上述(1)至(4)中任一项所述的发光二极管，其特征在于：在所述外部反射层的表面设置有稳定化层。

(6)如(1)至(5)中任一项所述的发光二极管，其特征在于：在所述化合物半导体层和所述基板之间设置有内部反射层。

(7)如上述(1)至(6)中任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述外部反射层通过电镀法形成。

(8)如上述(1)至(7)中任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述发光层包含AlGaInP或者AlGaAs层。

(9)一种发光二极管的制造方法，其特征在于：包括：

在半导体基板上形成包含具有发光层的发光部的化合物半导体层的工序；

接合所述化合物半导体层和基板的工序；