[发明专利]增加晶片薄层电阻和/或光电池功率密度水平的溶液

摘要

本发明提供了一种用于光电池中的薄膜无定形或单晶或多晶硅晶片衬底的处理方法，所述晶片衬底在其晶片衬底的顶面上具有至少一种pn结或np结和部分磷硅酸盐或硼硅酸盐玻璃层，从而增加(a)晶片的薄层电阻和(b)由该晶片制造的光电池的功率密度水平中的至少一项。本发明还提供了一种酸性处理溶液，其包含缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液，其包含至少一种四烷基氢氧化铵、乙酸、至少一种非离子型表面活性剂、至少一种金属螯合剂、不含金属的铵源、不含金属的氟离子源和水，其与氧化剂溶液和任选的水混合。

主权项

用于光电池中的薄膜无定形或单晶或多晶硅晶片衬底的处理方法，所述晶片衬底在其晶片衬底的顶面上具有pn结或np结和部分磷硅酸盐或硼硅酸盐玻璃层中的至少一种，从而增加(a)薄层电阻和(b)光电池的功率密度中的至少一项，所述方法包括使晶片衬底在足够的温度下与酸性处理溶液接触足够的时间以增加(a)所述晶片的薄层电阻和(b)所述晶片制备的光电池的功率密度中的至少一项，所述酸性处理溶液包含：含有以下成分的缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液：约0.1至约20重量％的至少一种四烷基氢氧化铵，约0.1至约5重量％的乙酸，约0.1至约5重量％的至少一种非离子型表面活性剂，约0.1至约5重量％的至少一种金属螯合剂，约0.1至约20重量％的不含金属的铵离子源，约0.01至约20重量％的不含金属的氟离子源，加至100％的余量水；该缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液与氧化剂溶液和任选的水以0.01‑10/0‑100/1的氧化剂溶液/水/BOE溶液的比例进行混合。