[发明专利]增加晶片薄层电阻和/或光电池功率密度水平的溶液

权利要求书

1.用于光电池中的薄膜无定形或单晶或多晶硅晶片衬底的处理方法，所述晶片衬底在其晶片衬底的顶面上具有pn结或np结和部分磷硅酸盐或硼硅酸盐玻璃层中的至少一种，从而增加(a)薄层电阻和(b)光电池的功率密度中的至少一项，所述方法包括使晶片衬底在足够的温度下与酸性处理溶液接触足够的时间以增加(a)所述晶片的薄层电阻和(b)所述晶片制备的光电池的功率密度中的至少一项，所述酸性处理溶液包含：

含有以下成分的缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液：

约0.1至约20重量％的至少一种四烷基氢氧化铵，

约0.1至约5重量％的乙酸，

约0.1至约5重量％的至少一种非离子型表面活性剂，

约0.1至约5重量％的至少一种金属螯合剂，

约0.1至约20重量％的不含金属的铵离子源，

约0.01至约20重量％的不含金属的氟离子源，

加至100％的余量水；

该缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液与氧化剂溶液和任选的水以0.01-10/0-100/1的氧化剂溶液/水/BOE溶液的比例进行混合。

2.根据权利要求1的方法，其中所述处理在约20℃至约70℃的温度进行。

3.根据权利要求1或2的方法，其中所述BOE溶液的pH值为约3至约6。

4.根据权利要求3的方法，其中所述BOE溶液的pH值为4.3至约5。

5.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述氧化剂溶液包含过氧化氢。

6.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述BOE溶液包含作为所述四烷基氢氧化铵的四甲基氢氧化铵，作为所述至少一种表面活性剂的3，5-二甲基己-1-炔-3-醇，和作为所述至少一种金属螯合剂的EDTA，并且所述氧化剂溶液包含过氧化氢和水。

7.根据权利要求6的方法，其中所述BOE溶液包含约3.1％的四甲基氢氧化铵、约1.2％的乙酸、约2.1％的HF、约0.8％的3，5-二甲基己-1-炔-3-醇、约0.8％的氢氧化铵、约0.6％的EDTA和约91.5％的水。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述BOE溶液与氧化剂溶液以范围为1/6/0.2-1.0的BOE/水/30％过氧化氢的比例进行混合。

9.根据权利要求7的方法，其中所述BOE溶液与氧化剂溶液以约为1/6/0.2的BOE/水/30％过氧化氢溶液的比例进行混合。

10.根据权利要求7的方法，其中所述BOE溶液与氧化剂溶液以约为1/6/0.8的BOE/水/30％过氧化氢溶液的比例进行混合。

11.根据权利要求7的方法，其中所述BOE溶液与氧化剂溶液以约为1/6/1的BOE/水/30％过氧化氢溶液的比例进行混合。

12.根据权利要求9的方法，其中所述处理在约20℃至约70℃的温度进行。

13.根据前述权利要求中任一项的方法，其中所述处理还提高了由该晶片制造的光电池的效率。

14.处理用于光电池中的薄膜无定形或单晶或多晶硅晶片衬底的酸性处理溶液，所述晶片衬底在其晶片衬底的顶面上具有pn结或np结和部分磷硅酸盐或硼硅酸盐玻璃层中的至少一种，从而增加(a)所述晶片的薄层电阻和(b)由所述晶片制造的光电池的功率密度中的至少一项，所述酸性处理溶液包含以下的混合物：

含有以下成分的缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液：

约0.1至约20重量％的至少一种四烷基氢氧化铵，

约0.1至约5重量％的乙酸，

约0.1至约5重量％的至少一种非离子型表面活性剂，

约0.1至约5重量％的至少一种金属螯合剂，

约0.1至约20重量％的不含金属的铵离子源，

约0.01至约20重量％的不含金属的氟离子源，

加至100％的余量水；

该缓冲氧化蚀刻(BOE)溶液与氧化剂溶液和任选的水以0.01-10/0-100/1的氧化剂溶液/水/BOE溶液的比例进行混合。

15.根据权利要求14所述的酸性处理溶液，其中所述BOE溶液的pH值为约3至约6。