[实用新型]化学气相沉积装置有效
| 申请号： | 201020664216.5 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN201915144U | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 胡频升 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种化学气相沉积装置，所述化学气相沉积装置包括：承载台和与所述承载台活动连接的遮挡环；所述遮挡环上设置有定位孔；所述承载台上设置有与所述定位孔对应的定位管脚；所述定位孔包括靠近承载台的第二部分以及远离承载台的第一部分，所述第一部分的孔径与所述定位管脚匹配，所述第二部分的孔径大于所述第一部分的孔径。通过本实用新型提供的化学气相沉积装置，遮挡环上的定位孔不易损坏，在化学气相沉积工艺过程中，定位孔与定位管脚也不易脱离。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】：
一种化学气相沉积装置，包括：承载台以及与所述承载台活动连接的遮挡环；所述遮挡环上设置有定位孔；所述承载台上设置有与所述定位孔对应的定位管脚；其特征在于，所述定位孔包括靠近承载台的第二部分以及远离承载台的第一部分，所述第一部分的孔径与所述定位管脚匹配，所述第二部分的孔径大于所述第一部分的孔径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020664216.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于回收废硬质合金的电化学溶解装置
- 下一篇：基板卸载装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
