[实用新型]化学气相沉积装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路工艺装置，特别涉及一种化学气相沉积装置。

背景技术

现有的半导体制造工艺中，化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)装置被广泛应用，以进行化学气相沉积工艺，于半导体晶圆上淀积薄膜。请参考图1，其为现有的化学气相沉积装置示意图。如图1所示，化学气相沉积装置1包括承载台10和与所述承载台10活动连接的遮挡环11；所述遮挡环11上设置有定位孔12；所述承载台10上设置有与所述定位孔12对应的定位管脚13，所述定位孔12的形状与所述定位管脚13的形状相匹配，具体的说，定位孔12形状为圆柱体，并且定位孔12的孔径(平行于承载台表面方向的宽度)比定位管脚13的直径略大，恰好使得定位管脚13插入到定位孔12中；所述承载台10内设置有与所述定位管脚13固定连接的定位基座14。所述遮挡环11利用所述定位孔12与所述定位管脚13的接合，达到与所述承载台10连接，以在所述承载台10上限定出用于承载晶圆的空间。

通过现有的化学气相沉积装置1进行化学气相沉积工艺时，利用所述遮挡环11能够阻挡化学气相沉积工艺中一些杂质对半导体晶圆的伤害，从而提高产品的良率。但是，现有的化学气相沉积装置1的定位孔12经常容易损坏。发明人经过长期观察发现，这是由于定位孔12的形状与定位管脚13的形状完全吻合，因此，在工艺过程中，人为的对遮挡环11与承载台10进行连接时，往往发生定位孔12与定位管脚13有些许偏差，即定位管脚13与定位孔12中心在水平方向(与承载台表面平行的方向)未对准，由此造成定位管脚13与定位孔12整体错位，从而导致定位孔12损坏。

并且，在现有的化学气相沉积工艺过程中，承载台10会在竖直方向运动，由此会发生遮挡环11与承载台10脱离连接的现象。请参考图2a～2b，其为现有的化学气相沉积工艺过程中化学气相沉积装置示意图。如图2a～2b所示，承载台10在进行竖直方向运动过程中，遮挡环11由于惯性作用，与承载台10发生了一定的脱离，此时，定位孔12与定位管脚13也伴随发生了脱离。接着，由于重力作用，遮挡环11再次与承载台10连接，但是，往往在此过程中，定位管脚13与定位孔12中心在水平方向(与承载台表面平行的方向)上发生了一定的偏移，往往造成定位管脚13与定位孔12整体错位，因此不能吻合在一起，遮挡环11与承载台10的连接将不可靠，从而可能发生遮挡环11对晶圆的损坏或者由于遮挡环11不能阻挡杂质，而降低晶圆良率。

此外，现有的化学气相沉积装置，在使用一段时间后，承载台10上会沉积有一些杂质，从而导致承载台10表面凹凸不平，影响化学气相沉积工艺的可靠性。为此，现有的化学气相沉积装置在使用一段时间后，需对承载台10表面进行打磨，以使得承载台10表面复归平整。经过打磨后，承载台10的高度将有所降低，相对的，承载台10上设置的定位管脚13的高度将变高，从而，遮挡环11与承载台10连接时，定位孔12与定位管脚13不能很好的吻合。由此，遮挡环11将发生晃动，降低了装置的可靠性，并且，由于定位孔12与定位管脚13不能很好的吻合，即遮挡环11与承载台10的连接中具有一些空隙，由此，在化学气相沉积工艺中，遮挡环11不能很好的阻挡杂质对半导体晶圆的伤害，从而降低晶圆良率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种化学气相沉积装置，以解决现有的化学气相沉积装置定位孔容易损坏，并且在化学气相沉积过程中，定位孔与定位管脚易于脱离的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种化学气相沉积装置，所述化学气相沉积装置包括：承载台和与所述承载台活动连接的遮挡环；所述遮挡环上设置有定位孔；所述承载台上设置有与所述定位孔对应的定位管脚；所述定位孔包括靠近承载台的第二部分以及远离承载台的第一部分，所述第一部分的孔径与所述定位管脚匹配，所述第二部分的孔径大于所述第一部分的孔径。

可选的，在所述的化学气相沉积装置中，所述定位管脚高出承载台表面的高度等于或者小于所述定位孔的深度。

可选的，在所述的化学气相沉积装置中，所述第一部分呈圆柱体状。

可选的，在所述的化学气相沉积装置中，所述第二部分呈倒漏斗状。

可选的，在所述的化学气相沉积装置中，所述第二部分呈圆柱体状。

可选的，在所述的化学气相沉积装置中，所述定位孔的数量为两个。

可选的，在所述的化学气相沉积装置中，两个所述定位孔位于遮挡环的同一轴线上。