[实用新型]一种基于蓝宝石衬底的单芯片白光发光二极管无效
申请号: | 201020650139.8 | 申请日: | 2010-12-03 |
公开(公告)号: | CN201887046U | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 郭伟玲;闫薇薇;崔碧峰;刘莹;高伟 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/04;H01L33/44;H01L33/46 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种基于蓝宝石衬底的单芯片白光发光二极管,属于半导体光电子技术领域。包括上层p型电极、蓝色发光单元、隧道结、绿色发光单元、上层n型电极和蓝宝石衬底构成的上层结构,或者由蓝绿光p-电极、蓝绿光发光单元、蓝绿光n-电极和蓝宝石衬底构成的上层结构;由下层n型电极、红色发光单元和下层p型电极构成的下层结构,其中上层结构和下层结构分别在蓝宝石衬底的两侧生长,制作工艺过程不需要芯片键合,划片后,芯片采用倒装焊方式焊接在硅或其他材料的散热基座上。此结构中蓝宝石衬底的引入增加了侧壁出光,增加了光提取效率和显色指数。本实用新型制作工艺简单、成本低、重复性好、适用于批量生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 蓝宝石 衬底 芯片 白光 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种基于蓝宝石衬底的单芯片白光发光二极管,其特征在于,其结构从上至下依次包括由上层p型电极(1)、蓝色发光单元(26)、隧道结(9)、绿色发光单元(25)、上层n型电极(22)和蓝宝石衬底(15)构成的上层结构,或者由蓝绿光p 电极(27)、蓝绿光发光单元(36)、蓝绿光n 电极(35)和蓝宝石衬底(15)构成的上层结构;由下层n型电极(23)、红色发光单元(24)和下层p型电极(21)构成的下层结构,用外延方法在同一蓝宝石衬底的两面分别生长上述的上层结构和下层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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