[实用新型]一种TO220封装MOSFET多管并联模块无效
| 申请号： | 201020246979.8 | 申请日： | 2010-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN201805393U | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李桃峰 | 申请（专利权）人： | 西安新大良电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02P6/00 | 分类号： | H02P6/00;H05K7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型一种TO220封装MOSFET多管并联模块为了解决TO-220封装的MOSFET器件存在的因散热速度慢引起的驱动器效率降低问题，通过把铝板作为MOSFET管脚的导电连接器件，使大电流多个MOSFET并联时管脚间连接变得容易、可靠，使每个MOSFET的散热镀锡铜板与铝板直接接触，减小了热阻，提高了MOSFET的散热性能，MOSFET的温升低了，损耗就小，驱动器效率就高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 to220 封装 mosfet 并联 模块 | ||
【主权项】：
一种TO220封装MOSFET多管并联模块，它由是镀锡铜板(4)、上管散热铝板(5)、下管散热铝板(6)、线路板(7)、MOSFET(8)、电源负连接铝板(9)组成，其特征是将MOSFET垂直焊接在线路板(7)的两边，上管的漏极靠近下管的源极；各组上管MOSFET的散热镀锡铜板(4)通过螺丝固定在一块上管散热铝板(5)上；上管的管脚(3)与下管的管脚(2)通过电子线路板(7)焊接在一起；各组下管的散热镀锡铜板(4)通过螺丝固定在独立的下管散热铝板(6)上；下管的管脚(3)焊接在电子线路板(7)上；在线路板(7)的管脚(3)焊点连线上上留5 15毫米宽度的敷铜铂，5 15毫米宽的电源负连接铝板(9)通过螺丝固定在敷铜铂的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安新大良电子科技有限公司，未经西安新大良电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020246979.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
