[发明专利]具有金属载体的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010625076.5 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102130157A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | O·黑贝尔伦;W·里格;C·卡多;M·聪德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/778;H01L23/36;H01L23/373;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;李家麟 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有金属载体的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括金属载体基板。在该载体基板以上形成Alx1Gay1Inz1N(x1+y1+z1＝1，x1≥0，y1≥0，z1≥0)的第一半导体层。Alx2Gay2Inz2N(x2+y2+z2＝1，x2＞x1，y2≥0，z2≥0)的第二半导体层布置在该第一半导体层上并且栅极区域布置在该第二半导体层上。该半导体器件进一步包括源极区域和漏极区域，其中这些区域中的一个电耦合至金属载体基板并且包括延伸穿过第一半导体层的导电区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 载体 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括包括金属的载体基板；位于所述载体基板上的Alx1Gay1Inz1N(x1+y1+z1＝1，x1≥0，y1≥0，z1≥0)的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的Alx2Gay2Inz2N(x2+y2+z2＝1，x2＞x1，y2≥0，z2≥0)的第二半导体层；位于所述第二半导体层上的栅极区域；以及源极区域和漏极区域，其中这些区域中的一个电耦合至所述载体基板并且包括延伸穿过所述第一半导体层的导电区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司，未经英飞凌科技奥地利有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010625076.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
