[发明专利]发光二极管封装体及其形成方法有效
| 申请号： | 201010615222.6 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102142509A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 吴上义;刘沧宇 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管封装体及其形成方法，发光二极管封装体包括半导体基底，具有第一及第二表面；至少一穿孔，穿过半导体基底的第一及第二表面；至少一散热孔洞，自第二表面朝第一表面延伸；导热材料，填充于散热孔洞之中以形成散热插塞，散热插塞具靠近第一表面的第一端及靠近第二表面的第二端；绝缘层，位于穿孔的侧壁上且延伸于第一及第二表面上，绝缘层覆盖第一端、第二端及散热插塞的侧壁的至少其中之一；导电层，位于穿孔中的绝缘层之上，并延伸至第一及第二表面上；及发光二极管晶片，设置于第一或第二表面上，且具有电极，电性连接至导电层。本发明可使得晶片封装体的散热性进一步提升。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装体，其特征在于，包括：一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；至少一穿孔，穿过该半导体基底的该第一表面及该第二表面；至少一散热孔洞，自该半导体基底的该第二表面朝该第一表面延伸；一导热材料，填充于该散热孔洞之中以形成一散热插塞，其中该散热插塞具有靠近该第一表面的一第一端及靠近该第二表面的一第二端；一绝缘层，位于该穿孔的一侧壁之上且延伸于该半导体基底的该第一表面及该第二表面之上，其中该绝缘层进一步覆盖该第一端、该第二端及该散热插塞的一侧壁的至少其中之一；一导电层，位于该穿孔中的该绝缘层之上，并延伸至该半导体基底的该第一表面及该第二表面之上；以及一发光二极管晶片，设置于该半导体基底的该第一表面或该第二表面之上，且具有一电极，该电极电性连接至该导电层。
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