[发明专利]金属氧化物半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201010612921.5 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102544096A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种金属氧化物半导体结构及其形成方法，一种互补金属氧化物半导体器件形成方法。本发明的优点在于：第一，通过在衬底表面形成与衬底具有不同晶体取向的半导体层，并利用不同晶体取向半导体层之间所产生的应力提高载流子的迁移率，从而提高半导体器件的性能；第二，本发明通过在衬底表面形成与衬底具有不同晶体取向的半导体层，在(100)取向的晶体表面形成NMOS，在(110)取向的晶体表面形成PMOS，提高了载流子的迁移率；第三，本发明采用高k栅介质取代传统的二氧化硅栅介质，避免了现有工艺中的漏电流问题；第四，本发明工艺简单，费用小。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体器件形成方法，其特征在于，包括：提供第一衬底，所述第一衬底表面形成有第二半导体层，所述第二半导体层的晶体取向不同于所述第一衬底的晶体取向；在所述第二半导体层表面形成第一伪栅极以及覆盖所述第一伪栅极侧壁的第一侧墙，并以所述第一侧墙为掩膜注入离子，在第一衬底和第二半导体层内形成第一源极与第一漏极；形成覆盖所述第二半导体层和第一侧墙的第一绝缘介质层；去除第一伪栅极以及与第一伪栅极位置对应的第二半导体层；去除第一侧墙，形成第一开口，并沿第一开口注入离子，在第一衬底和第二半导体层内形成第一浅掺杂区；形成覆盖所述第一开口侧壁的第二侧墙；在所述第二侧墙表面和所述第一开口底部形成第一高k介质层；形成填充满所述第一开口的第一金属层，所述第一金属层和第一高k介质层构成第一金属栅极结构。
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