[发明专利]发光二极管晶粒的制作方法

摘要

一种发光二极管晶粒的制作方法，通过在发光二极管晶粒底部形成一层二氧化硅图案层，在半导体发光结构生长完成之后，利用第一种蚀刻液把二氧化硅图案层去除。此时，在侧向蚀刻的过程中，第二种蚀刻液将进入到发光二极管晶粒的底部并从底部开始蚀刻。该方法可有效加快半导体发光结构形成倒锥状结构的过程，从而提高发光二极管晶粒的出光效率，并有效降低蚀刻过程所需的温度。

主权项

一种发光二极管晶粒的制作方法，其包括以下步骤：提供一基板，基板上形成有二氧化硅图案层，该图案层将基板分割成多个外延生长区域；在外延生长区域生长半导体发光结构，控制外延生长的条件，使相邻的半导体发光结构之间具有间隙以显露出部分二氧化硅图案层；利用第一种蚀刻液去除二氧化硅图案层；利用第二种蚀刻液对半导体发光结构进行侧向蚀刻，所述第二种蚀刻液注入半导体发光结构之间的间隙以及二氧化硅图案层去除后所留下的间隙中，从而使半导体发光结构形成倒锥状的结构；在半导体发光结构的部分区域上蚀刻出电极平台，然后在半导体发光结构表面制作电极；将基板沿半导体发光结构之间的间隙进行切割，形成多个发光二极管晶粒。