[发明专利]半导体装置、芯片及修改比特数据的方法有效

专利信息
申请号: 201010609607.1 申请日: 2010-12-28
公开(公告)号: CN102543190A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 王小乐 申请(专利权)人: 炬力集成电路设计有限公司
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/06
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 519085 广东省珠海*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例公开了一种半导体装置、芯片及修改比特数据的方法,涉及芯片设计技术领域,用于增加对芯片中记录的比特数据进行修改的修改方式。本发明中的记录比特数据的芯片包括N列金属层,每一列包括M层金属层,N和M为不小于2的整数;用于记录所述比特数据的NMOS管的位线固化在N列金属层中边缘列的底层或顶层金属层中,所述NMOS管的漏端固化在另一边缘列的底层或顶层金属层中;处于同一层并且相邻的金属层处于连接或断开状态,处于同一列并且相邻的金属层之间设置有或未设置有连接层,使得所述位线与所述漏端之间存在通路或不存在通路。采用本发明,能够增加对芯片中记录的比特数据进行修改的修改方式。
搜索关键词: 半导体 装置 芯片 修改 比特 数据 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,该装置具有能够实现两个节点之间多次切换连接与断开状态的结构,通过在两个节点之间多次切换连接与断开的状态,实现更改连接状态所需要更改的版图层的数目最小。
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