[发明专利]半导体发光芯片制造方法无效
| 申请号： | 201010606544.4 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102569541A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 凃博闵;黄世晟;洪梓健;林雅雯 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/42;H01L33/12;H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体发光芯片制造方法，其包括步骤：提供基板；在基板上形成第一蚀刻层；在第一蚀刻层上形成连接层；在连接层上形成第二蚀刻层；在第二蚀刻层上形成发光结构层；蚀刻第一蚀刻层、连接层、第二蚀刻层及发光结构层，第一蚀刻层及第二蚀刻层的蚀刻速率大于连接层及发光结构层的蚀刻速率而使连接层及发光结构层形成宽度从上至下渐减的形状。该方法可节约蚀刻时间，从而加快发光元件的制造过程。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光芯片制造方法，其包括步骤：提供基板；在基板上形成第一蚀刻层；在第一蚀刻层上形成连接层；在连接层上形成第二蚀刻层；在第二蚀刻层上形成发光结构层；蚀刻第一蚀刻层、连接层、第二蚀刻层及发光结构层，第一蚀刻层及第二蚀刻层的蚀刻速率大于连接层及发光结构层的蚀刻速率而使连接层及发光结构层形成宽度自上而下渐减的形状。
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