[发明专利]MOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201010606316.7 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102569391A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 于伟泽;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/43;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，该MOS晶体管包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的栅极结构；所述栅极结构两侧的半导体衬底表面内的源区和漏区；所述栅极结构下方的沟道；其特征在于，所述沟道内靠近漏区的一端具有异质区，所述异质区的介电常数大于沟道内其他区域。所述MOS晶体管的沟道漏端具有异质区，异质区为介电常数比沟道其他区域大的半导体材料，由于异质区位于漏端，使得漏端电场相对降低，源端电场相对增强，相对于传统的非对称沟道MOS晶体管进一步增加了源端的载流子迁移率，从而能够提高器件的驱动电流，而且漏端较低的横向电场能够进一步防止漏端击穿现象发生。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管，包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的栅极结构；所述栅极结构两侧的半导体衬底表面内的源区和漏区；所述栅极结构下方的沟道；其特征在于，所述沟道内靠近漏区的一端具有异质区，所述异质区的介电常数大于沟道内其他区域。
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