[发明专利]混合发光二极管芯片和具有其的发光二极管器件及制造法有效
申请号: | 201010605741.4 | 申请日: | 2010-12-24 |
公开(公告)号: | CN102163666A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 洪荣基;张氶镐;金源镐 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/46;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;王凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及混合发光二极管芯片和具有其的发光二极管器件及制造法。公开了一种混合LED芯片,其包括:P型半导体材料的第一覆层;N型半导体材料的第二覆层;第一和第二覆层之间的有源层;第一覆层上的第一键合金属层;第二覆层上的第二键合金属层;陶瓷基板,其设置在第一和第二键合金属层上并与第一和第二键合金属层键合,其中,陶瓷基板包括露出第一键合金属层的至少一个第一通孔和露出第二键合金属层的至少一个第二通孔;P型电极,其通过在至少一个第一通孔中埋置导电材料而形成;和N型电极,其通过在至少一个第二通孔中埋置导电材料而形成,其中,陶瓷基板中的第一和第二通孔被形成为圆柱形,且各个圆柱形的圆周表面设置有凹雕图案。 | ||
搜索关键词: | 混合 发光二极管 芯片 具有 器件 制造 | ||
【主权项】:
一种混合LED芯片,该混合LED芯片包括:P型半导体材料的第一覆层;N型半导体材料的第二覆层;介于所述第一覆层和所述第二覆层之间的有源层;位于所述第一覆层上的第一键合金属层;位于所述第二覆层上的第二键合金属层;陶瓷基板,其被设置在所述第一键合金属层和所述第二键合金属层上并与所述第一键合金属层和所述第二键合金属层键合起来,其中,所述陶瓷基板包括用于露出所述第一键合金属层的至少一个第一通孔和用于露出所述第二键合金属层的至少一个第二通孔;P型电极,其通过在所述至少一个第一通孔中埋置导电材料而形成;以及N型电极,其通过在所述至少一个第二通孔中埋置导电材料而形成,其中,所述陶瓷基板中的所述第一通孔和所述第二通孔被形成为圆柱形,并且各个圆柱形的圆周表面设置有凹雕图案。
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