[发明专利]制作金属硅化物的方法有效
| 申请号： | 201010604274.3 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102543701A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 吴兵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作金属硅化物的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面包含至少一个硅导电区域；对所述半导体衬底进行离子注入，其中，注入离子为碳离子或硅离子，离子注入时半导体衬底的温度小于或等于-50oC；在所述半导体衬底上形成金属层，以覆盖所述至少一个硅导电区域；对所述半导体衬底执行第一退火工艺；去除未与所述至少一个硅导电区域中的硅材料发生退火反应的金属层；对所述半导体衬底执行第二退火工艺，其中，所述第二退火工艺为毫秒退火。本发明的方法可以阻挡随后形成的金属Ni向沟道内扩散，进而防止结泄漏和击穿电压降低。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 金属硅 方法 | ||
【主权项】：
一种制作金属硅化物的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面包含至少一个硅导电区域；对所述半导体衬底进行离子注入，其中，注入离子为碳离子或硅离子，离子注入时所述半导体衬底的温度小于或等于‑50oC；在所述半导体衬底上形成金属层并进行退火工艺，以形成覆盖所述至少一个硅导电区域的金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
