[发明专利]静态随机存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201010593192.3 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102569202A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新;宋伟基 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种静态随机存储器的制造方法，所述静态随机存储器同时包含NMOS器件和PMOS器件，本发明通过在PMOS器件源/漏轻掺杂离子注入之后湿法清洗静态随机存储器中NMOS器件和PMOS器件的侧壁间隙壁，使得湿法清洗之后形成的NMOS器件源/漏轻掺杂区之间的距离减小，改善NMOS器件的电性，使之与静态随机存储器中PMOS器件电性相匹配，提高了所制造静态随机存储器的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种静态随机存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包含NMOS器件区和PMOS器件区，所述NMOS器件区和PMOS器件区上分别形成有NMOS栅极结构和PMOS栅极结构，所述NMOS栅极结构和PMOS栅极结构两侧形成有侧壁间隙壁；以PMOS栅极结构及其两侧的侧壁间隙壁为掩模，在PMOS器件区进行P型轻掺杂离子注入；湿法清洗所述NMOS栅极结构和PMOS栅极结构两侧的侧壁间隙壁；以NMOS栅极结构及其两侧的侧壁间隙壁为掩模，在NMOS器件区进行N型轻掺杂离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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