[发明专利]静态随机存储器的制造方法

权利要求书

1.一种静态随机存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包含NMOS器件区和PMOS器件区，所述NMOS器件区和PMOS器件区上分别形成有NMOS栅极结构和PMOS

栅极结构，所述NMOS栅极结构和PMOS栅极结构两侧形成有侧壁间隙壁；以PMOS栅极结构及其两侧的侧壁间隙壁为掩模，在PMOS器件区进行P型轻掺杂离子注入；

湿法清洗所述NMOS栅极结构和PMOS栅极结构两侧的侧壁间隙壁；

以NMOS栅极结构及其两侧的侧壁间隙壁为掩模，在NMOS器件区进行N型轻掺杂离子注入。

2.如权利要求1所述静态随机存储器的制造方法，其特征在于，所述NMOS栅极结构和PMOS栅极结构两侧的侧壁间隙壁包括由氧化硅层和氮化硅层构成的叠加层。

3.如权利要求2所述静态随机存储器的制造方法，其特征在于，所述氧化硅层和氮化硅层构成的叠加层中氮化硅层距栅极结构较远。

4.如权利要求3所述静态随机存储器的制造方法，其特征在于，所述氮化硅层通过炉管热沉积或电浆化学气相沉积方法形成，所述氮化硅层的厚度范围为200～500埃。

5.如权利要求2所述静态随机存储器的制造方法，其特征在于，所述湿法清洗采用的溶剂为氟化氢和乙二醇的混合溶液。

6.如权利要求5所述静态随机存储器的制造方法，其特征在于，所述氟化氢和乙二醇的混合溶液中氟化氢和乙二醇的体积比为4～10∶90～96，湿法清洗的温度为45～55摄氏度，清洗时间为20～40秒。

7.如权利要求6所述静态随机存储器的制造方法，其特征在于，所述湿法清洗中所述氮化硅层被减薄的厚度为20～40埃。

8.如权利要求1所述静态随机存储器的制造方法，其特征在于，所述P型轻掺杂区离子注入之前还包括在半导体衬底上涂布光刻胶，图形化所述光刻胶使PMOS器件区暴露；所述P型轻掺杂区离子注入之后还包括去除半导体衬底上的光刻胶。

9.如权利要求1所述静态随机存储器的制造方法，其特征在于，所述N型轻掺杂离子注入之前还包括在半导体衬底上涂布光刻胶，图形化所述光刻胶使NMOS器件区暴露；所述N型轻掺杂离子注入之后还包括去除半导体衬底上的光刻胶。

10.如权利要求8或9所述静态随机存储器的制造方法，其特征在于，所述光刻胶的去除采用硫酸和双氧水的混合溶液，以及SC1溶液去除。

11.如权利要求10所述静态随机存储器的制造方法，其特征在于，所述硫酸和双氧水的混合溶液中硫酸和双氧水的体积比2～6∶1，溶液的温度范围为120～140摄氏度，所需要的时间范围5～10分钟。

12.如权利要求10所述静态随机存储器的制造方法，其特征在于，所述SC1溶液中NH₄OH、H₂O₂和H₂O的体积比为1∶1～4∶100～200，溶液的温度小于30摄氏度，所需要的时间2～5分钟。