[发明专利]一种硅双向瞬态电压抑制二极管及制作方法有效
| 申请号： | 201010575165.3 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102543720A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 周鹏;吴贵松;周廷荣 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/60;H01L21/22;H01L23/485 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅双向瞬态电压抑制二极管及制作方法，该方法是在P型硅片两面扩散出两个N区，在两个N区表面镀镍，划片后得正六边形芯片，将芯片封装在管壳内，引出电极得硅双向瞬态电压抑制二极管。本发明采用贴片式封装，具有体积小，重量轻、瞬间吸收功率大及可靠性高的特点。随着武器装备系统向着小型化、智能化方向发展，具有更小体积和更便于安装的表贴类瞬态电压抑制二极管有更好的发展前景；并且该器件在研制过程中采用了非常先进的平行缝焊封装技术，使得器件内部气氛能够控制在更低的水平，很好的提升的器件的使用寿命，具有更好的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 瞬态 电压 抑制 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅双向瞬态电压抑制二极管的制作方法，其特征在于：该方法是在P型硅片两面扩散出两个N区，在两个N区表面镀镍，划片后得正六边形芯片，将芯片封装在管壳内，引出电极得硅双向瞬态电压抑制二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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