[发明专利]自对准式TFT有源矩阵的制造方法

摘要

本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法，该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。区别于传统的TFT有源矩阵中欧姆接触层的制作方法，本发明利用自对准的方式实现欧姆接触层的制作，即从底栅金属电极方向作离子注入并以底栅金属电极作为自对准的图形，在有源层与源漏电极层形成欧姆接触层，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。

主权项

一种自对准式TFT有源矩阵制造方法，其特征在于，采用微机械加工工艺的方法以及半导体工艺的自对准方式实现TFT有源矩阵的制造；其制造工艺步骤如下：a.首先在清洗洁净的单晶硅晶圆（20）上热生长一层氧化硅层（21），作为后续TFT有源矩阵转移的牺牲层；b.在氧化硅层（21）上涂布一层抗蚀层（22），并在其上生长一层栅极金属层（23）；c.对栅极金属层23作图形化处理，制作出TFT有源矩阵的底栅金属电极（231）；d.在TFT有源矩阵的底栅金属电极（231）之上生长绝缘层（24）、有源层（25），并将有源层图形化处理得到硅岛；e.溅射TFT有源矩阵的源漏电极层（26），并作图形化处理，得到源金属电极（261）以及漏金属电极（262）；f.生长氮化硅保护层（27）；7）再次涂布抗蚀层（28），并做平坦化处理；g.利用微机械加工工艺刻蚀掉氧化硅层（21），将TFT有源矩阵层从单晶硅晶圆（20）之上剥离开；h.去除掉栅极金属层（23）上涂布的抗蚀层（22），并从栅金属层（23）的方向作离子注入，控制注入的离子束（30）能量及剂量，以自对准的方式形成欧姆接触层（29），从而使有源层（25）与源漏电极层（26）相连接；i.将TFT有源矩阵层转移到基板（40）上：去除掉源漏电极层（26）之上的抗蚀层（28），并对氮化硅保护层（27）作图形化处理，刻蚀出电极接触孔，方便后续引线。