[发明专利]化合物半导体装置以及制造该化合物半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201010560427.9 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102254936A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 村田道昭;宇佐美浩之;太田恭久;高桥均 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/201 | 分类号： | H01L29/201;H01L29/43;H01L23/532;H01L21/285;H01L21/768;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 丁业平;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种化合物半导体装置，包括：Au合金电极、层间绝缘膜、金属布线、以及氧化膜。所述Au合金电极形成在化合物半导体上。所述层间绝缘膜形成在所述Au合金电极上。所述金属布线通过在所述层间绝缘膜中所形成的接触孔而与所述Au合金电极相连接。所述氧化膜形成在所述Au合金电极和层间绝缘膜之间的界面处，该氧化膜的主成分为所述化合物半导体的构成元素。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体装置，包括：形成在化合物半导体上的Au合金电极；形成在所述Au合金电极上的层间绝缘膜；通过在所述层间绝缘膜中所形成的接触孔而与所述Au合金电极相连接的金属布线；以及在所述Au合金电极和层间绝缘膜之间的界面处所形成的氧化膜，该氧化膜的主成分为所述化合物半导体的构成元素。
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