[发明专利]相变存储器的制作方法无效
| 申请号： | 201010532648.5 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102468427A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张翼英;何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有沟槽开口，所述沟槽开口露出下方的半导体衬底；在所述沟槽开口内形成底部电极，所述底部电极的深度小于所述层间介质层的厚度；在所述底部电极上形成绝缘介质层，所述绝缘介质层与层间介质层具有刻蚀选择比，所述绝缘介质层与所述层间介质层之间具有间隙，所述间隙形成接触孔；在所述绝缘介质层上形成相变层，所述相变层填充满所述接触孔。本发明解决了底部电极与半导体衬底剥离的问题，提高了相变存储器的良率和工作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有沟槽开口，所述沟槽开口露出下方的半导体衬底；在所述沟槽开口内形成底部电极，所述底部电极的深度小于所述层间介质层的厚度；在所述底部电极上形成绝缘介质层，所述绝缘介质层与层间介质层具有刻蚀选择比，所述绝缘介质层与所述层间介质层之间具有间隙，所述间隙形成接触孔；在所述绝缘介质层上形成相变层，所述相变层填充满所述接触孔。
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