[发明专利]化学气相沉积设备及其冷却箱无效
| 申请号： | 201010530714.5 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102002686A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 贺成明;洪峻铭 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人： | 欧阳启明 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学气相沉积设备及其冷却箱。化学气相沉积设备包括：反应腔室；至少一清洁气体通道，连接于所述反应腔室与远程等离子源之间；以及防氟化材料层，形成于所述清洁气体通道内。此清洁气体通道可形成于冷却箱的箱体内。本发明可确保反应腔室内的洁净度。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 设备 及其 冷却 | ||
【主权项】：
一种化学气相沉积设备，其特征在于：所述化学气相沉积设备包括：反应腔室；至少一清洁气体通道，连接于所述反应腔室与远程等离子源之间；以及防氟化材料层，形成于所述清洁气体通道内。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
