[发明专利]一种选择性发射极电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种选择性发射极电池的制作方法，包括：提供一半导体基底；在半导体基底上制绒；对半导体基底进行扩散掺杂，在半导体基底正面形成扩散层，扩散层包括表层的高掺杂浓度层和内层的低掺杂浓度层；对扩散后的半导体基底进行去边处理；在扩散层表面形成与栅线对应的银浆电极，并在半导体基底底面形成背电极、背电场；在银浆电极表面电镀导电金属；以导电金属作为掩膜，刻蚀去除半导体基底正面暴露的高掺杂浓度层；在半导体基底正面沉积减反射膜；去除导电金属待电极焊接部分顶面上的减反射膜。通过在银浆电极上电镀导电金属，将导电金属作为去除高掺杂浓度层的掩膜，降低了对设备精准度的要求，提高了SE电池的生产成品率。

主权项

一种选择性发射极电池的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上制绒；对所述半导体基底进行扩散掺杂，在半导体基底正面形成扩散层，所述扩散层包括表层的高掺杂浓度层和内层的低掺杂浓度层；对扩散后的半导体基底进行去边处理；在扩散层表面形成与栅线对应的银浆电极，并在半导体基底底面形成背电极、背电场；在银浆电极表面电镀导电金属；以导电金属作为掩膜，刻蚀去除半导体基底正面暴露的高掺杂浓度层；在半导体基底正面沉积减反射膜；去除导电金属待电极焊接部分顶面上的减反射膜。