[发明专利]具有静电放电及防电磁波干扰的封装件无效
申请号: | 201010508683.3 | 申请日: | 2010-10-13 |
公开(公告)号: | CN102446870A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 蔡宗贤;朱恒正;钟兴隆;杨超雅 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/60;H01L23/552 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种具有静电放电及防电磁波干扰的封装件,包括:具有电性绝缘的第一及第二接地结构的承载件;接置于该承载件的一个表面上并电性连接该第一接地结构的半导体元件;以及盖设于该承载件及半导体元件上并电性连接该第二接地结构的覆盖构件。本发明使该半导体元件与覆盖构件分别电性连接该第一及第二接地结构,以个别导除静电及电磁波的电荷,并防止该半导体元件被静电破坏,而能提高成品率及避免短路的发生。 | ||
搜索关键词: | 具有 静电 放电 电磁波 干扰 封装 | ||
【主权项】:
一种具有静电放电及防电磁波干扰的封装件,其特征在于,包括:承载件,具有相对的第一及第二表面,且该承载件具有电性绝缘的第一接地结构及第二接地结构;至少一个半导体元件,接置于该承载件的第一表面上,且电性连接至该承载件及其第一接地结构;以及覆盖构件,盖设于该承载件第一表面上以覆盖该半导体元件,且该覆盖构件电性连接该第二接地结构。
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