[发明专利]一种Ge或SiGe纳米线场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种Ge或SiGe纳米线场效应晶体管的制备方法，首先在衬底上的隔离层上形成多晶硅栅；然后形成高K材料的栅介质层；再在栅介质层上淀积SiGe薄膜；对SiGe薄膜进行源漏掺杂后光刻定义出源漏区图形，并各向异性干法刻蚀SiGe薄膜，在多晶硅栅两侧形成SiGe侧墙，同时在栅长方向上SiGe侧墙的两头分别形成源区和漏区；最后对SiGe侧墙进行氧化，去掉表面形成的氧化层，得到Ge纳米线或高Ge含量的SiGe纳米线。该方法基于侧墙工艺和Ge聚集技术，在不采用先进光刻设备的条件下制备出Ge或SiGe纳米线场效应晶体管，制备成本低，而且与CMOS工艺完全兼容。

主权项

一种Ge或SiGe纳米线场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：1)在衬底上先形成一绝缘层，再淀积一多晶硅薄膜，并对该多晶硅薄膜进行掺杂，然后光刻和刻蚀形成多晶硅栅；2)在多晶硅栅上采用高K材料形成栅介质层；3)在栅介质层上淀积一SiGe薄膜；4)对SiGe薄膜进行源漏掺杂；5)光刻定义出源漏区图形，并各向异性干法刻蚀SiGe薄膜，在多晶硅栅两侧形成SiGe侧墙，同时在栅长方向上SiGe侧墙的两头分别形成源区和漏区；6)对SiGe侧墙进行氧化，然后去掉表面形成的氧化层，得到Ge纳米线或Ge含量提高了的SiGe纳米线。