[发明专利]半导体光接收元件

摘要

本发明涉及半导体光接收元件。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)上，依次形成有n型DBR层(12)(第一导电型的分布布拉格反射层)、低载流子浓度的i-InGaAs光吸收层(14)(光吸收层)、以及p型InP窗层(16)(第二导电型的半导体层)。在n型DBR层(12)中，将n型InP层(12a)(第二半导体层)和n型InGaAsP层(12b)(第一半导体层)交替地层叠多对。n型InP层(12a)的带隙波长比入射光的波长(λ)小。n型InP层(12b)的带隙波长比入射光的波长(λ)大。n型DBR层(12)的反射率峰值波长是1.20μm～1.35μm。n型InGaAsP层(12b)的带隙波长是1.30μm～1.55μm。1层的n型InP层(12a)的光学层厚与1层的n型InGaAsP层(12b)的光学层厚的和，是入射光的波长的大致1/4。

主权项

一种半导体光接收元件，具备：半导体衬底、以及在所述半导体衬底上依次形成的第一导电型的分布布拉格反射层、光吸收层、第二导电型的半导体层，其特征在于，所述分布布拉格反射层是将带隙波长比入射光的波长大的第一半导体层、和带隙波长比所述入射光的波长小的第二半导体层交替地层叠多对形成的，所述分布布拉格反射层的反射率峰值波长是1.20μm～1.35μm，1层的所述第一半导体层的光学层厚与1层的所述第二半导体层的光学层厚的和，是所述入射光的波长的大致一半，所述第一半导体层的带隙波长是1.30μm～1.55μm。