[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010293471.8 | 申请日： | 2010-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101997037A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘柏村;邹一德;邓立峰;李富海;谢汉萍;林威廷;洪铭钦;萧仲钦;张钧杰;陈伯纶 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法，此方法包括在基板形成栅极、源极以及漏极。另外，在栅极以及源极与漏极之间形成氧化物半导体材料，其中形成氧化物半导体材料的方法包括进行沉积程序，且在结束所述沉积程序之前，于沉积程序中通入氮气以于氧化物半导体材料上方形成氧化物半导体氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一栅极；一源极以及一漏极；一氧化物半导体材料，位于该栅极以及该源极与漏极之间；以及一氧化物半导体氮化物，实质上位于该氧化物半导体材料上。
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