[发明专利]一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制造方法无效
申请号: | 201010293306.2 | 申请日: | 2010-09-27 |
公开(公告)号: | CN101969061A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 臧松干;刘昕彦;王鹏飞;张卫 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L29/10;H01L21/786 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于半导体集成电路制造技术领域,具体为一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制备方法。在基于绝缘体上的硅衬底的基础上,在隧穿晶体管中采用鳍型栅结构,并且采用高k介质作为栅介质,采用低k介质作为边墙材料。本发明所提出的鳍型隧穿晶体管集成电路,在提高集成电路驱动电流的同时,可以加快集成电路的开关速度,降低芯片功耗。进一步地,本发明还公开了所述鳍型隧穿晶体管集成电路的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 鳍型隧穿 晶体管 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种鳍型隧穿晶体管集成电路,其特征在于,该隧穿晶体管集成电路基于绝缘体上的硅衬底,在所述隧穿晶体管中采用鳍型栅结构,并且采用高k介质作为栅介质,采用低k介质做为边墙材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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