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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种在单块芯片上集成高性能器件与低功耗器件的制造方法-CN201010592833.3有效
发明人： 臧松干;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种在单块芯片上集成碰撞电离场效应晶体管（IMOS）与隧穿场效应晶体管（TFET）的制造方法，其中通过控制第三次离子注入的剂量，不仅可以制造出相同沟道类型的TFET和与IMOS，还可以制造出不同沟道类型的TFET与IMOS直接构成反相器结构。本发明所提出的在单块芯片上集成IMOS器件和TFET器件的制造方法，不仅可以用于高速高性能集成电路制造，还可以用于低功耗集成电路制造；而且由于是在单块芯片上同时制造，降低了生产成本。
一种芯片集成性能器件功耗制造方法

[发明专利]一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制造方法-CN201010293306.2无效
发明人： 臧松干;刘昕彦;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制备方法。在基于绝缘体上的硅衬底的基础上，在隧穿晶体管中采用鳍型栅结构，并且采用高k介质作为栅介质，采用低k介质作为边墙材料。本发明所提出的鳍型隧穿晶体管集成电路，在提高集成电路驱动电流的同时，可以加快集成电路的开关速度，降低芯片功耗。进一步地，本发明还公开了所述鳍型隧穿晶体管集成电路的制造方法。
一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制造方法

[发明专利]一种自对准的U型凹槽制造方法-CN201010260824.4无效
发明人：王鹏飞;臧松干;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于半导体芯片技术领域，具体为一种自对准的U型沟槽制造方法。包括：以氧化硅为掩膜刻蚀半导体衬底；形成氮化硅侧墙；在暴露的半导体衬底上生长氧化硅；剥除氮化硅侧墙；以氧化硅为掩膜刻蚀暴露出的半导体衬底形成器件的U型沟槽。本发明采用自对准的技术来制造U型沟槽，可以降低图形的对准失配，提高产品的制造良率，特别适用于隧穿晶体管的制造。
一种对准凹槽制造方法

[发明专利]一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管及其制造方法-CN201010252925.7无效
发明人： 臧松干;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-08-13 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管。本发明采用凹陷沟道和纵向扩散工艺，大大减小了器件尺寸，抑制了短沟道效应，并且在抑制漏致源端势垒降低的同时，也减小了器件结构中栅漏的寄生电容，提高了器件的响应频率，即在提高芯片集成度的同时增强了器件的响应频率。本发明还公开了该凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管的制造方法。
一种凹陷沟道横向纵向扩散场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]使用铁电材料的凹陷沟道型晶体管及其制造方法-CN201010251137.6无效
发明人： 臧松干;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-08-12 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于快速开关技术领域，具体为一种使用铁电材料的凹陷沟道型晶体管及其制造方法。本发明中，源极为窄禁带宽度，栅介质为铁电材料与氧化硅或高k材料叠层。一方面，窄禁带宽度的源极材料，使得晶体管的驱动电流上升；另一方面，凹陷型沟道的使用，抑制了漏电流的增加；同时，铁电材料的栅介质使得亚阈值电压摆幅变得更小，提高了器件的开关速度。进一步地，本发明还公开了所述半导体场效应晶体管的制造方法。
使用材料凹陷沟道晶体管及其制造方法

[发明专利]一种栅控PN场效应晶体管及其控制方法-CN201010209299.3无效
发明人：王鹏飞;臧松干;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种栅控PN场效应晶体管及其控制方法。本发明公开的栅控PN场效应晶体管，包括一个半导体衬底区、位于所述衬底区左右两侧的漏区和源区、位于所述衬底区上下两侧的栅区。所述的栅控PN场效应晶体管工作在源漏pn结的正偏状态下，而且是从衬底区中央开始导通。本发明所提出的栅控PN场效应晶体管在减小漏电流的同时也增大了驱动电流，也就是在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。本发明还公开了一种上述栅控PN场效应晶体管的控制方法，包括截止、导通操作。
一种 pn 场效应晶体管及其控制方法

[发明专利]凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法-CN201010220542.1有效
发明人： 臧松干;刘昕彦;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体为一种凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法。包括一个半导体衬底，位于衬底底部的具有第一种掺杂类型的漏区，位于衬底内的凹槽结构，覆盖在凹槽内的栅极，位于栅极与半导体衬底之间的栅介质层；位于凹槽两侧、衬底顶部的具有第二种掺杂类型的源区，位于凹槽与源区之间的绝缘介质层。凹陷型沟道结构和碰撞电离工作原理的使用，使晶体管在抑制亚阈值摆幅的同时可提高驱动电流，进而提高器件的开关速度和响应频率，同时也减小器件的关态功耗。本发明的场效应晶体管非常适用于集成电路芯片的制造，特别是高速大功率芯片的制造。
凹陷沟道碰撞电离场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的集成电路及其制造方法-CN201010221408.3无效
发明人： 臧松干;刘昕彦;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种半导体集成电路。该半导体集成电路包括一个栅控PNPN晶体管和一个MOS晶体管。所述集成电路中的栅控PNPN晶体管和MOS晶体管均采用凹陷型沟道结构，可在提高驱动电流的同时抑制漏电流的增加，即在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。本发明还公开了所述半导体集成电路的制造方法。本发明所提出的半导体集成电路，特别适用于低功耗集成电路芯片的制造。
凹陷沟道 pnpn 场效应晶体管集成电路及其制造方法

[发明专利]凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法-CN201010186373.4有效
发明人： 臧松干;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏电流的同时增大了驱动电流，也就是在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。采用本发明的凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法，工艺过程简单，效率高，降低了生产成本。
凹陷沟道 pnpn 场效应晶体管制造方法

[发明专利]一种凹陷沟道的PNPN场效应晶体管及其制备方法-CN201010162446.6无效
发明人： 臧松干;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种凹陷沟道的PNPN场效应晶体管。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏电流的同时增大了驱动电流。同时，本发明还公开了上述PNPN场效应晶体管的制造方法。采用本发明的PNPN场效应晶体管的隧穿结更加陡直，而且可以增加源端横向电场，减小隧穿势垒，改善传统MOS晶体管的类双极型晶体管的漏电流，减小芯片功耗。
一种凹陷沟道 pnpn 场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]垂直沟道双栅隧穿晶体管及其制备方法-CN201010162453.6有效
发明人： 臧松干;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体本发明公开了一种半导体器件，它包括一个N型隧穿晶体管和一个P型MOS晶体管。对于N型隧穿晶体管，采用垂直沟道双栅结构；对于P型MOS晶体管，采用凹陷沟道结构。本发明还公开了上述半导体器件的制造方法。本发明制造的半导体器件具有低漏电流、高驱动电流等优点，采用本发明的集成电路大大降低了芯片功耗。
垂直沟道双栅隧穿晶体管及其制备方法

[发明专利]一种互补栅控PNPN场效应晶体管及其制造方法-CN201010141734.3有效
发明人：王鹏飞;臧松干;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-04-08 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种互补栅控PNPN场效应晶体管及其制备方法。该晶体管由源极为窄禁带宽度的凹陷沟道的N型栅控PNPN场效应晶体管和P型栅控PNPN场效应晶体管组成。所述晶体管的凹陷沟道使其漏电流得到了抑制，同时，该晶体管采用了窄禁带宽度材料，其驱动电流也得到了提升。本发明还公开了上述晶体管的制造方法。本发明所提出的晶体管具有低漏电流、高驱动电流、低功耗、集成度高等优点。
一种互补 pnpn 场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]一种使用SiGe源极的栅控PNPN场效应晶体管及其制备方法-CN201010132082.7无效
发明人： 臧松干;王鹏飞;丁士进;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种使用SiGe源极的凹陷沟道型栅控PNPN场效应晶体管。一方面，窄禁带宽度的源极材料使得栅控PNPN场效应晶体管的驱动电流上升；另一方面，凹陷型的沟道结构抑制了栅控PNPN场效应晶体管漏电流的增加。同时，本发明还提出了一种使用SiGe源极的凹陷沟道型栅控PNPN场效应晶体管的制造方法。
一种使用 sige pnpn 场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种自对准半导体存储器结构及其制造方法-CN201010023062.6无效
发明人：王鹏飞;臧松干;孙清清;丁士进;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-01-21 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明属于非挥发性存储器件技术领域，具体公开了一种自对准半导体存储器结构。该半导体存储器结构采用隧穿晶体管来进行对相变存储器或阻变存储器比如擦写操作和读操作的控制，隧穿晶体管中垂直的栅控二极管结构不仅可以满足对阻变存储器和相变存储器进行写入的大电流要求，而且可以提高存储器件阵列的密度。同时，本发明还公开了一种制造所述半导体存储器结构的方法，该方法使存储器器件的制造工序简化，并且使制程更加稳定，非常适用于存储器芯片的制造。
一种对准半导体存储器结构及其制造方法

[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制造方法-CN200910247547.0有效
发明人：王鹏飞;臧松干;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括一个源极、一个漏极、一个栅极、以及一个衬底。所述半导体器件的沟道向衬底内凹陷，使其漏电流降低的同时驱动电流上升。本发明还公开了上述半导体器件的制造方法。本发明制造的半导体器件具有低漏电流、高驱动电流、集成度高等优点，采用本发明的集成电路的静态功耗可以得到降低，集成度也可以得到提高。
一种场效应晶体管及其制造方法

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