[发明专利]制作存储器的存储单元中顶电极的方法无效
| 申请号： | 201010292600.1 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102412129A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 周真;洪中山;冯永刚;杨伟俊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作存储器的存储单元中顶电极的方法，该方法包括：提供一在第一绝缘层中的底电极，在第一绝缘层和该底电极上沉积介质层；在介质层上沉积第二绝缘层后，在第二绝缘层上形成金属层；采用光刻工艺和刻蚀工艺对金属层和第二绝缘层进行刻蚀，在金属层和第二绝缘层中形成接触孔；采用等离子体干法对金属层表面及接触孔底层表面进行预清理后，在金属层表面及接触孔内沉积顶电极材料，填充满接触孔；对顶电极材料抛光至第二绝缘层，所述抛光过程中抛光掉第二绝缘层表面上的金属层，形成顶电极。本发明提供的方法在制作存储单元中顶电极过程中，避免了第二绝缘层表面的放电损伤，提高最终得到的存储器良率。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 存储器 存储 单元 电极 方法 | ||
【主权项】：
一种制作存储器的存储单元中顶电极的方法，该方法包括：提供一在第一绝缘层中的底电极，在第一绝缘层和该底电极上沉积介质层；在介质层上沉积第二绝缘层后，在第二绝缘层上形成金属层；采用光刻工艺和刻蚀工艺对金属层和第二绝缘层进行刻蚀，在金属层和第二绝缘层中形成接触孔；采用等离子体干法对金属层表面及接触孔底层表面进行预清理后，在金属层表面及接触孔内沉积顶电极材料，填充满接触孔；对顶电极材料抛光至第二绝缘层，所述抛光过程中抛光掉第二绝缘层表面上的金属层，形成顶电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
