[发明专利]制作存储器的存储单元中顶电极的方法

权利要求书

1.一种制作存储器的存储单元中顶电极的方法，该方法包括：

提供一在第一绝缘层中的底电极，在第一绝缘层和该底电极上沉积介质层；

在介质层上沉积第二绝缘层后，在第二绝缘层上形成金属层；

采用光刻工艺和刻蚀工艺对金属层和第二绝缘层进行刻蚀，在金属层和第二绝缘层中形成接触孔；

采用等离子体干法对金属层表面及接触孔底层表面进行预清理后，在金属层表面及接触孔内沉积顶电极材料，填充满接触孔；

对顶电极材料抛光至第二绝缘层，所述抛光过程中抛光掉第二绝缘层表面上的金属层，形成顶电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层形成采用化学气相淀积方法或电化学电镀方法。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学气相淀积方法为等离子体增强化学气相淀积方法、等离子体增强化学气相淀积方法、金属有机化学气相淀积方法或低压化学气相淀积方法。

4.如权利要求1～3任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述金属层采用铝、铜、钨、顶电极合金材料、氮化铝、氮化铜、氮化钨或氮化顶电极合金材料。

5.如权利要求1～3任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述金属层的沉积厚度为1000埃～3埃。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用光刻工艺和刻蚀工艺对金属层和第二绝缘层进行刻蚀的过程为：

在金属层表面上涂覆光刻胶层后，按照接触孔图形对光刻胶层进行曝光和显影后，形成具有接触孔图形的光刻胶层；

以该具有接触孔图形的光刻胶层为掩膜，采用干法等离子体对金属层和第二绝缘层进行刻蚀后，得到接触孔。