[发明专利]具有漏极轻掺杂结构的金属氧化物半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 201010290520.2 | 申请日： | 2010-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102412152A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;杨清尧 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有漏极轻掺杂(lightly doped drain，LDD)结构的金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor，MOS)元件的制造方法，包含：提供第一导电型的基板；于基板中形成绝缘结构以定义元件区；于元件区中形成栅极结构，栅极结构包括介电层、堆叠层、与栅极结构外部侧壁上的间隔层；将第二导电型杂质，以加速离子形式，与基板表面成倾斜角度，植入基板，以形成漏极轻掺杂结构，其中，部分加速离子穿越间隔层植入基板，形成漏极轻掺杂结构中位于间隔层下方的部分；以及将第二导电型杂质，以加速离子形式，植入基板，以形成源极与漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 漏极轻 掺杂 结构 金属 氧化物 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有漏极轻掺杂结构的金属氧化物半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：提供一第一导电型的基板；于该基板中形成绝缘结构以定义一元件区；于该元件区中形成一栅极结构，该栅极结构包括介电层、堆叠层、与栅极结构外部侧壁上的间隔层；将第二导电型杂质，以加速离子形式，与该基板表面成一倾斜角度，植入该基板，以形成漏极轻掺杂结构，其中，部分加速离子穿越间隔层植入该基板，形成该漏极轻掺杂结构中位于该间隔层下方的部分；以及将第二导电型杂质，以加速离子形式，植入该基板，以形成源极与漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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