[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。通过形成与电容器电介质膜厚度不同的栅极电极的栅极绝缘膜，可以在不改变电容量的情况下减小电容器的表面积。半导体器件包括：多个形成于包括第一区域和第二区域的衬底上的半导体层图形；形成于包括半导体层图形的实质整个衬底表面上的绝缘膜，该绝缘膜在第一区域的一部分和第二区域上具有第一厚度，该第一厚度比第一区域内的半导体层图形的中心部分上的第二厚度小；及多个形成于绝缘膜上以覆盖第一区域内的半导体层图形的中心部分和第二区域内的半导体层图形的导电层图形。第一区域的半导体层图形作为沟道区域、源极和漏极区域和轻掺杂漏极区域，源极和漏极区域与轻掺杂漏极区域通过不同掺杂工艺形成。

主权项

一种半导体器件包括：多个形成于衬底上的半导体层图形，所述衬底包括第一区域和第二区域；形成于包括所述半导体层图形的整个衬底表面上的绝缘膜，其中该绝缘膜在所述第一区域的一部分和所述第二区域上具有第一厚度，该第一厚度比所述第一区域内的所述半导体层图形的中心部分上的第二厚度小；及多个形成于所述绝缘膜上以覆盖所述第一区域内的所述半导体层图形的所述中心部分和所述第二区域内的所述半导体层图形的导电层图形，其中设置所述第一区域的半导体层图形作为沟道区域、源极和漏极区域和轻掺杂漏极区域，且其中设置所述第一区域内的所述半导体层图形的中心部分作为沟道区域和轻掺杂漏极区域，所述源极和漏极区域通过第一掺杂工艺而形成，所述轻掺杂漏极区域通过第二掺杂工艺而形成；其中在所述第一区域内的所述半导体层图形的中心部分上形成的所述绝缘膜的上表面是平的。