[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件包括：

多个形成于衬底上的半导体层图形，所述衬底包括第一区域和第二区域；

形成于包括所述半导体层图形的整个衬底表面上的绝缘膜，其中该绝缘膜在所述第一区域的一部分和所述第二区域上具有第一厚度，该第一厚度比所述第一区域内的所述半导体层图形的中心部分上的第二厚度小；及

多个形成于所述绝缘膜上以覆盖所述第一区域内的所述半导体层图形的所述中心部分和所述第二区域内的所述半导体层图形的导电层图形，

其中设置所述第一区域的半导体层图形作为沟道区域、源极和漏极区域和轻掺杂漏极区域，且其中设置所述第一区域内的所述半导体层图形的中心部分作为沟道区域和轻掺杂漏极区域，所述源极和漏极区域通过第一掺杂工艺而形成，所述轻掺杂漏极区域通过第二掺杂工艺而形成；

其中在所述第一区域内的所述半导体层图形的中心部分上形成的所述绝缘膜的上表面是平的。

2.根据权利要求1中的半导体器件，其中设置所述第一区域作为NMOS薄膜晶体管。

3.根据权利要求1中的半导体器件，其中设置所述第二区域作为电容器。

4.根据权利要求1中的半导体器件，其中设置所述第二区域的半导体层图形作为电容器的下电极。

5.根据权利要求1中的半导体器件，其中设置所述第一区域内的导电层图形作为栅极电极，且设置所述第二区域内的导电层图形作为电容器的上电极。

6.根据权利要求1中的半导体器件，其中所述绝缘膜是栅极绝缘膜。

7.根据权利要求1中的半导体器件，其中所述绝缘膜包括氧化硅和氮化硅中的一种。

8.根据权利要求1中的半导体器件，其中包括第二区域中的半导体层图形、绝缘膜和导电层图形的电容器的表面积A’满足以下等式：

A′=CstϵGI/tGI]]>

其中εGI表示电介质常数，Cst表示电容器的电容量和tGI表示绝缘膜的厚度。

9.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

在衬底上形成多个半导体层图形，其中该衬底包括第一区域和第二区域；

在包括所述半导体层图形的衬底表面上形成绝缘膜；

在该绝缘膜上形成光致抗蚀剂图形，以覆盖所述第一区域内所述半导体层图形的中心部分；

使用该光致抗蚀剂图形作为离子注入掩模，将杂质离子注入所述第一区域和所述第二区域的所述半导体层图形内以形成源极和漏极区域及电容器下电极；

使用该光致抗蚀剂图形作为蚀刻掩模，将暴露于所述第一区域和所述第二区域的所述绝缘膜的厚度减小；

去除所述光致抗蚀剂图形；

在所述第一区域内所述半导体层图形的中心部分上和所述第二区域内所述半导体层图形上形成导电层图形；及

以所述第一区域内的导电层图形作为离子注入掩模，将杂质离子注入所述第一区域的半导体图形中以形成轻掺杂漏极区域，

其中在所述第一区域内的所述半导体层图形的中心部分上形成的所述绝缘膜的上表面是平的。

10.根据权利要求9中的方法，其中设置所述第一区域作为NMOS薄膜晶体管的至少一部分。

11.根据权利要求9中的方法，其中设置所述第二区域作为电容器的至少一部分。

12.根据权利要求9中的方法，其中所述绝缘膜是栅极绝缘膜。

13.根据权利要求9中的方法，其中所述绝缘膜包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。

14.根据权利要求9中的方法，其中所述第一区域内的所述导电层图形作为栅极电极，且所述第二区域内的所述导电层图形作为电容器的上电极。

15.根据权利要求9中的方法，其中包括所述第二区域中的半导体层图形、绝缘膜和导电层图形的电容器的表面积A’满足以下等式：

A′=CstϵGI/tGI]]>

其中εGI表示电介质常数，Cst表示电容器的电容量和tGI表示绝缘膜的厚度。