[发明专利]具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器无效
申请号: | 201010276213.9 | 申请日: | 2010-09-08 |
公开(公告)号: | CN101997052A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 刘诗嘉;朱龙源;兰添翼;赵水平;王妮丽;李向阳;蒋科 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器,其特征在于:该曲线延伸电极由内弧形结构区和电极延伸结构区组成,内弧形结构区和电极延伸结构区两者交界处为一个半椭圆曲线。采用该曲线延伸电极结构的碲镉汞芯片具有如下的优点:曲线延伸电极结构更加简单,延伸性更好,这种电极结构不仅可使用在大尺寸的光敏面器件上,而且可用于井伸电极所不能使用的小尺寸光敏面器件上;曲线延伸电极的电极可焊接区域面积更大,能够更加方便的进行电极引出操作;曲线延伸电极的电极引出可实行机械化操作,从而保证了焊点的一致性和稳定性,提高了产品的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 具有 曲线 延伸 电极 结构 碲镉汞 红外线 探测器 | ||
【主权项】:
一种具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器,其特征在于:曲线延伸电极结构由内弧形结构区和电极延伸结构区组成,内弧形结构区位于光敏面与电极延伸结构之间,和光敏面形成欧姆接触,内弧形结构区和电极延伸结构区交界处为一个半椭圆线;而电极延伸结构区为内弧形结构区的电极延长部分,为一类似矩形形状结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的