[发明专利]具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器无效
申请号: | 201010276213.9 | 申请日: | 2010-09-08 |
公开(公告)号: | CN101997052A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 刘诗嘉;朱龙源;兰添翼;赵水平;王妮丽;李向阳;蒋科 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 曲线 延伸 电极 结构 碲镉汞 红外线 探测器 | ||
1.一种具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器,其特征在于:曲线延伸电极结构由内弧形结构区和电极延伸结构区组成,内弧形结构区位于光敏面与电极延伸结构之间,和光敏面形成欧姆接触,内弧形结构区和电极延伸结构区交界处为一个半椭圆线;而电极延伸结构区为内弧形结构区的电极延长部分,为一类似矩形形状结构。
2.根据权利要求1所述的一种具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器,其特征在于:所述的内弧形结构区的电极的结构为在第二面碲镉汞光敏面氧化层上由下往上依次生长以下金属层:厚度为的内弧形区铟层(6)以及厚度为的内弧形区金层(7)。
3.根据权利要求1所述的一种具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器,其特征在于:所述的电极延伸结构区的结构为在蓝宝石衬底上由下至上依次生长以下金属层:厚度为的电极延伸区第一铟层(8)、厚度为的电极延伸区第一金层(9)、厚度为的电极延伸区第二铬层(10)以及厚度为的电极延伸区第二金层(11)。
4.根据权利要求1所述的一种具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器,其特征在于:所述的内弧形结构区和电极延伸结构区的半椭圆交界线的结构尺寸按以下方法确定:
椭圆线的两个短轴端与电极边缘的垂直距离为c应在10微米至20微米之间;长轴端点与光敏面的垂直距离d应该在15微米至20微米之间;内弧形结构的椭圆长轴半直径a与短轴直径b分别:
a=L-d (1)
b=M-2c (2)
其中L、M为电极内弧形结构区的设计尺寸,L为电极内弧形结构区在长轴方向长度,M为电极内弧形结构区在短轴方向长度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的