[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201010274989.7 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102386077A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 沈满华;黄怡;黄敬勇;陈振兴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/66;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积形成栅极结构所需的材料层以及具有图案的光刻胶；根据预定的栅极结构关键尺寸偏差来调整刻蚀机台的温度偏差，修剪所述具有图案的光刻胶；刻蚀所述材料层，形成具有实际的栅极结构关键尺寸的栅极结构；以及在所述衬底和所述栅极结构上采用化学气相沉积方法形成衬垫材料层，并刻蚀形成衬垫层。根据本发明的方法，能够有效地改善半导体器件电学性质的均匀性，提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积形成栅极结构所需的材料层以及具有图案的光刻胶；根据预定的栅极结构关键尺寸偏差来调整刻蚀机台的温度偏差，修剪所述具有图案的光刻胶；刻蚀所述材料层，形成具有实际的栅极结构关键尺寸的栅极结构；以及在所述衬底和所述栅极结构上采用化学气相沉积方法形成衬垫材料层，并刻蚀形成衬垫层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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